熱釋電效應(yīng)的強(qiáng)弱可用熱釋電系數(shù)來表示。在溫度變化?T的情況下，如果晶體自發(fā)極化強(qiáng)度改變了?P，則?P與?T間的關(guān)系可用下式表示?P=p?T
 

　　值范圍分別為i=1,2,3,4,5,6。由于晶體加熱時(shí)，要保持晶體應(yīng)變?yōu)榱愕臈l件是不易實(shí)現(xiàn)的，所以在一般情況下測得的是自由熱釋電系數(shù)。
 

　　反過來，對(duì)熱釋電晶體絕熱施加電場時(shí)，其溫度將發(fā)生變化，這種效應(yīng)稱為逆熱釋電效應(yīng)或電生熱效應(yīng)。
 

　　利用熱釋電效應(yīng)可制成性能良好的紅外敏感元件。其對(duì)熱釋電材料的要求是：①能充分吸收入射的紅外線；②為了使吸收的單位熱能對(duì)應(yīng)大的溫度上升幅度，熱釋電材料體比熱應(yīng)小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟溫度對(duì)應(yīng)的表面電荷變化大，即熱釋電系數(shù)p大，室溫下的戶值p大，T(居里溫度)適當(dāng)高時(shí)，熱釋電系數(shù)p變大(T低使工作溫度受到限制，且熱釋電系數(shù)p的溫度變化也大)；④與表面電荷變化相應(yīng)的電容小，即材料的介電量?。虎輼?gòu)成嗓聲源之一的介電損耗角正切tanδ小。